GaN 场效应晶体管

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PowerGaN E-Mode G-HEMT™晶体管

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™晶体管是一款高性能增强模式（常关型）GaN设备，旨在为要求苛刻的功率转换应用提供极快的开关速度、低导通损耗和大功率密度。这些晶体管利用氮化镓与宽禁带优势，实现了极低电容、最小栅极电荷和零反向恢复充电，从而实现了比传统硅功率开关更优异的效率。

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结果: 9

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	技术
GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor SGT070R70HTO STMicroelectronics 1: ¥82.3883 340库存量新产品	制造商零件编号 SGT070R70HTO Mouser 零件编号 511-SGT070R70HTO 新产品	STMicroelectronics	GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 了解更多关于STMicroelectronics sgt070r70hto transistor 的信息	数据表	340库存量	剪切带 ¥82.3883 ¥45.4147 ¥42.4315 ¥34.6571 卷轴 ¥34.578 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	TO-LL-11			700 V	26 A	70 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	231 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor SGT080R70ILB STMicroelectronics 1: ¥59.2233 880库存量新产品	制造商零件编号 SGT080R70ILB Mouser 零件编号 511-SGT080R70ILB 新产品	STMicroelectronics	GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 了解更多关于STMicroelectronics sgt080r70ilb transistor 的信息	数据表	880库存量	剪切带 ¥59.2233 ¥38.872 ¥28.6229 ¥25.3911 ¥24.069 卷轴 ¥20.3513 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	29 A	80 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	6.2 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor SGT105R70ILB STMicroelectronics 1: ¥49.7087 949库存量新产品	制造商零件编号 SGT105R70ILB Mouser 零件编号 511-SGT105R70ILB 新产品	STMicroelectronics	GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 了解更多关于STMicroelectronics sgt powergan transistors 的信息	数据表	949库存量	剪切带 ¥49.7087 ¥32.5892 ¥24.3176 ¥20.3513 卷轴 ¥16.6223 查看 ¥19.6846 ¥15.9669 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	21.7 A	105 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	4.8 nC	- 55 C	+ 150 C	158 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor SGT140R70ILB STMicroelectronics 1: ¥41.9343 900库存量新产品	制造商零件编号 SGT140R70ILB Mouser 零件编号 511-SGT140R70ILB 新产品	STMicroelectronics	GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 了解更多关于STMicroelectronics sgt powergan transistors 的信息	数据表	900库存量	剪切带 ¥41.9343 ¥29.945 ¥22.4983 ¥21.6734 查看卷轴 ¥15.5488 ¥18.3625 ¥15.5488 报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	17 A	140 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	113 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor SGT190R70ILB STMicroelectronics 1: ¥33.335 987库存量新产品	制造商零件编号 SGT190R70ILB Mouser 零件编号 511-SGT190R70ILB 新产品	STMicroelectronics	GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 了解更多关于STMicroelectronics sgt powergan transistors 的信息	数据表	987库存量	剪切带 ¥33.335 ¥16.9613 ¥15.3906 ¥12.656 卷轴 ¥10.4186 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	11.5 A	190 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ILB STMicroelectronics 1: ¥29.6964 970库存量新产品	制造商零件编号 SGT240R70ILB Mouser 零件编号 511-SGT240R70ILB 新产品	STMicroelectronics	GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 了解更多关于STMicroelectronics sgt powergan transistors 的信息	数据表	970库存量	剪切带 ¥29.6964 ¥19.3569 ¥13.56 卷轴 ¥13.56 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 最大： 100 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor SGT350R70GTK STMicroelectronics 1: ¥19.7637 521库存量 2,500在途量新产品	制造商零件编号 SGT350R70GTK Mouser 零件编号 511-SGT350R70GTK 新产品	STMicroelectronics	GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 了解更多关于STMicroelectronics sgt350r70gtk transistor 的信息	数据表	521库存量 2,500在途量	剪切带 ¥19.7637 ¥9.6728 ¥9.0174 ¥7.2885 卷轴 ¥5.7178 查看 ¥6.6896 ¥5.1415 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DPAK-3			700 V	6 A	350 mOhms	- 1.4 V, + 7 V	2.5 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	47 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor SGT65R65AL STMicroelectronics 3,000: ¥45.3243 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 SGT65R65AL Mouser 零件编号 511-SGT65R65AL	STMicroelectronics	GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 了解更多关于STMicroelectronics stm sgt65r65al transistors 的信息	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥45.3243	最低： 3,000 倍数： 3,000 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-4	N-Channel	1 Channel	650 V	25 A	65 mOhms	+ 6 V	1.8 V	5.4 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W		GaN-on-Si
GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ITK STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SGT240R70ITK Mouser 零件编号 511-SGT240R70ITK 新产品	STMicroelectronics	GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 了解更多关于STMicroelectronics sgt powergan transistors 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	SMD/SMT	DPAK-2	N-Channel	1 Channel	700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	77 W	Enhancement	GaN

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