UMOS 11低压MOSFET

Toshiba UMOS 11低压MOSFET专为在紧凑封装中实现高能效和可靠开关性能而开发。UMOS 11系列具有低RDS(on)、Qoss和Qrr,且整体开关性能优异,因此非常适合DC-DC转换器和电机驱动器、服务器电源及其他开关电源等广泛的应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Toshiba MOSFET 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H 2,608库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 288 A 1.4 mOhms 20 V 3.6 V 80 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(N) PD=210W F=1MHZ 3,656库存量
5,000预期 2027/1/27
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 190 A 2.7 mOhms 20 V 4.3 V 52 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H 4,625库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 0.67 Ohms 20 V 2 V 88 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape