绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器IC

英飞凌绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器IC是电平转换高压栅极驱动器IC，适用于IGBT和MOSFET。 SOI技术是一种高电压、电平移位技术，具有独特、可衡量以及业内最佳的优势。其中包括集成式自举二极管 (BSD) 和业界最佳的稳健性，可防止负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由嵌入的二氧化硅隔离，消除了导致闭锁的寄生双极晶体管。该技术还可以降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。先进的工艺实现了具有技术增强优势的单片高压和低压电路结构。