碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

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ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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2,642库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
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784库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1,125库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
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450库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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506库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 AECQ
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1,792库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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199库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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1,619库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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348库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
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10库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模块 300A SiC Power Module
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4库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
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11库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 DIODE: 10A 600V
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627库存量
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最低： 1
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: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
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366库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
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352库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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685库存量
最低： 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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460库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC
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704库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
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6,355库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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366库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
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428库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N
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169库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 AECQ
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798库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 AECQ
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440库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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529库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4