碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

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数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
数据表
2,540在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-3PFM-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
数据表
1,291预期 2026/10/5
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 分立半导体模块 Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 12
倍数： 12

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor 分立半导体模块 SIC Pwr Module Chopper
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 4
倍数： 4

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模块 SIC Pwr Module Half Bridge
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 4
倍数： 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 DIODE: 8A 600V
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
数据表
产品评论
无库存交货期 27 周
最低： 450
倍数： 450

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
数据表
无库存交货期 21 周

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 12A SM SIC SKY
数据表
无库存交货期 25 周

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
数据表
无库存交货期 21 周

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2