小信号功率 MOSFET

英飞凌 小信号功率 MOSFET 提供符合行业标准的 7 种不同封装，从尺寸最大的 SOT-223 到最小的 SOT-363（测量尺寸 2.1mm x 2mm x 0.9mm）。提供单路、双路和补充配置。提供 N 沟道、P 沟道或补充版（在统一封装内包含 N 沟道和 P 沟道），以满足各种设计需求。这些器件的典型应用有电池保护、LED 照明、低压驱动和直流/直流转换器。这些小信号功率 MOSFET 均符合汽车类 AEC Q101 标准。
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结果: 55
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装

Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
数据表
交货期 14 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.8 A 172 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
数据表
无库存交货期 20 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 9,000
倍数： 9,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 310 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 650 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
数据表
无库存交货期 15 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 40 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
数据表
无库存交货期 16 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 9,000
倍数： 9,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
数据表
产品评论
无库存交货期 16 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel