小信号功率 MOSFET

英飞凌 小信号功率 MOSFET 提供符合行业标准的 7 种不同封装,从尺寸最大的 SOT-223 到最小的 SOT-363(测量尺寸 2.1mm x 2mm x 0.9mm)。提供单路、双路和补充配置。提供 N 沟道、P 沟道或补充版(在统一封装内包含 N 沟道和 P 沟道),以满足各种设计需求。这些器件的典型应用有电池保护、LED 照明、低压驱动和直流/直流转换器。这些小信号功率 MOSFET 均符合汽车类 AEC Q101 标准。
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结果: 55
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
24,000预期 2026/10/16
剪切带
¥3.6386
¥2.486
¥1.582
¥0.99214
¥0.86897
卷轴
¥0.43844
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 119 mOhms 20 V 1.2 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 无库存交货期 24 周
剪切带
¥4.9607
¥3.4465
¥2.1809
¥1.3786
¥1.1978
卷轴
¥0.67009
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 310 Ohms 20 V 2 V 650 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
交货期 48 周
剪切带
¥3.2205
¥2.2374
¥1.4125
¥0.89383
¥0.77744
卷轴
¥0.43844
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3 无库存交货期 26 周
剪切带
¥4.7121
¥3.2883
¥2.0792
¥1.3108
¥1.1413
卷轴
¥0.79439
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 40 mOhms 12 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
无库存交货期 40 周
剪切带
¥5.6274
¥3.9437
¥2.4973
¥1.5368
¥1.13
卷轴
¥0.81925
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel