结果: 31
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
Diodes Incorporated MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
18,000预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 640 mA, 870 mA 400 mOhms, 700 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV, 1 V 736.6 pC, 622.4 pC - 55 C + 150 C 530 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
106,926在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 52 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 10.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
103,895在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
11,889在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 730
: 3,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 40V P-CH Enhance Mode
6,000预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7.2 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 33.7 nC - 55 C + 150 C 810 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 40V P-CH Enhance Mode
14,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7.2 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 33.7 nC - 55 C + 150 C 810 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel