π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

结果: 68
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
数据表
201库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 8 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
数据表
366库存量
800预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 16 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86
数据表
200库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 8.5 A 860 mOhms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
数据表
40预期 2026/12/14
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
数据表
49在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.5 A 760 mOhms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40
数据表
148预期 2026/8/17
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 400 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
数据表
40在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 250 mOhms 102 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
数据表
1,050预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 7.5 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
数据表
250预期 2026/7/31
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 840 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 600 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 12 A 570 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 4.5 A 1.75 Ohms 30 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 6.5 A 1.2 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7 A 1.25 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1.22 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7.5 A 1.07 Ohms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 10 A 720 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 520 mOhms 25 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 12 A 520 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 12 A 580 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 13 A 460 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13.5 A 480 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 14 A 370 mOhms 50 W MOSVII Tube