DrMOS SiC6集成式功率级

Vishay Semiconductor DrMOS SiC6集成式功率级针对同步降压应用进行了优化，以实现大电流、高效率和大功率密度等性能。SiC6xx采用了Vishay特有的5mm x 5mm MLP封装，使稳压器设计可提供高达每相60A的连续电流。此系列内部功率MOSFET采用Vishay先进的第四代TrenchFET技术，大幅降低了开关和传导损耗。