结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 710库存量
¥181.6475
¥135.0802
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,701库存量
¥120.9326
¥72.7042
¥71.8002
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 298库存量
¥86.106
¥49.5505
¥45.9119
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
24,930在途量
剪切带
¥50.0477
¥32.7587
¥24.4871
¥20.5095
卷轴
¥17.7862
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
2,160在途量
¥153.3523
¥116.7968
¥97.3608
¥86.6823
¥80.9758
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
978在途量
¥68.4893
¥42.2733
¥39.0415
¥31.0185
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 52 周
¥72.4556
¥42.601
¥35.3238
¥35.1543
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC