碳化硅MOSFET

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CoolSiC™ MOSFET

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。该款分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，有650V、1200V和1700V电压等级可供选择，额定导通电阻范围为27mΩ 至1000mΩ 。CoolSiC沟槽式技术可实现灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定应用的特性。这些特性包括栅极-源极电压、雪崩规格、短路能力或额定用于硬换向的内部体二极管。

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结果: 29

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Vds-漏源极击穿电压

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Rds On-漏源导通电阻

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥57.9012 825库存量 NRND	制造商零件编号 IMBG120R090M1HXTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	数据表	825库存量	剪切带 ¥57.9012 ¥39.9568 ¥35.9792 ¥34.239 卷轴 ¥33.6627 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥55.0875 2,459库存量 NRND	制造商零件编号 IMBG120R220M1HXTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	数据表	2,459库存量	剪切带 ¥55.0875 ¥29.1992 ¥26.3064 卷轴 ¥23.2441 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥114.7289 617库存量 NRND	制造商零件编号 IMBG120R045M1HXTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	数据表	617库存量	剪切带 ¥114.7289 ¥69.8905 ¥64.9298 卷轴 ¥61.3703 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥52.1156 368库存量 NRND	制造商零件编号 IMZ120R140M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	数据表	368库存量	¥52.1156 ¥36.1487 ¥33.7531	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥86.1851 303库存量 NRND	制造商零件编号 IMBG120R060M1HXTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	数据表	303库存量	剪切带 ¥86.1851 ¥47.9798 ¥45.2452 卷轴 ¥42.7592 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥63.28 6,510库存量 9,000在途量	制造商零件编号 IMBF170R450M1XTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 了解更多关于Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 的信息	数据表	6,510库存量 9,000在途量订单发货日期制造商编号： IMBF170R450M1XTMA1 库存： 6,510 可立即发货在途量: 3,000 预期 2027/7/8 6,000 待定生产周期： 52 周	剪切带 ¥63.28 ¥42.3524 ¥34.0808 ¥30.2727 卷轴 ¥26.8036 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 最大： 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥129.3624 239库存量 NRND	制造商零件编号 IMW120R030M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	数据表	239库存量	¥129.3624 ¥87.349 ¥83.2132	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥76.4332 884库存量 NRND	制造商零件编号 IMW120R090M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	数据表	884库存量	¥76.4332 ¥40.9399 ¥37.7194 ¥35.9001	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥59.7996 3,851库存量 NRND	制造商零件编号 IMW120R220M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	数据表	3,851库存量	¥59.7996 ¥31.188 ¥28.6229 ¥28.5325 ¥25.8883	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥120.9326 1,701库存量 NRND	制造商零件编号 IMW65R027M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 的信息	数据表	1,701库存量	¥120.9326 ¥72.7042 ¥71.8002	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥88.9988 339库存量 NRND	制造商零件编号 IMW65R048M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 的信息	数据表	339库存量	¥88.9988 ¥48.3866 ¥44.748 ¥44.4203	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥94.8748 855库存量 NRND	制造商零件编号 IMZ120R060M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	数据表	855库存量	¥94.8748 ¥68.6588 ¥57.1554 ¥50.8726 ¥47.5617	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥86.106 298库存量 NRND	制造商零件编号 IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 的信息	数据表	298库存量	¥86.106 ¥49.5505 ¥45.9119	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥56.2514 2,436库存量	制造商零件编号 IMBF170R650M1XTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 了解更多关于Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 的信息	数据表	2,436库存量	剪切带 ¥56.2514 ¥36.8945 ¥27.1313 ¥24.1481 卷轴 ¥21.3457 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥135.3288 944库存量 NRND	制造商零件编号 IMBG120R030M1HXTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	数据表	944库存量	剪切带 ¥135.3288 ¥81.0662 卷轴 ¥75.6874 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥62.1161 3,842库存量 NRND	制造商零件编号 IMBG120R140M1HXTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	数据表	3,842库存量	剪切带 ¥62.1161 ¥33.335 ¥30.5213 卷轴 ¥28.3743 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥51.867 1,120库存量 NRND	制造商零件编号 IMBG120R350M1HXTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	数据表	1,120库存量	剪切带 ¥51.867 ¥34.0017 ¥25.0634 ¥22.6678 卷轴 ¥22.6678 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 最大： 500 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥65.8451 314库存量 NRND	制造商零件编号 IMW65R072M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 的信息	数据表	314库存量	¥65.8451 ¥37.7985 ¥35.1543 ¥33.8322	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥62.6133 463库存量 NRND	制造商零件编号 IMW65R107M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 的信息	数据表	463库存量	¥62.6133 ¥32.8378 ¥30.1936 ¥27.8771	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥91.6543 293库存量 1,920在途量 NRND	制造商零件编号 IMW120R060M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	数据表	293库存量 1,920在途量订单发货日期制造商编号： IMW120R060M1HXKSA1 库存： 293 可立即发货在途量: 720 待发货 1,200 预期 2026/11/19 生产周期： 52 周	¥91.6543 ¥64.7716 ¥54.014 ¥48.0589 ¥44.9175	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥58.8956 44库存量 960预期 2026/12/10 NRND	制造商零件编号 IMW120R350M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	数据表	44库存量 960预期 2026/12/10	¥58.8956 ¥38.5443 ¥28.4534 ¥25.2329 ¥22.3288	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥67.574 19库存量 2,160在途量 NRND	制造商零件编号 IMZ120R220M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	数据表	19库存量 2,160在途量订单发货日期制造商编号： IMZ120R220M1HXKSA1 库存： 19 可立即发货在途量: 960 预期 2027/3/25 1,200 预期 2027/4/1 生产周期： 52 周	¥67.574 ¥45.2452 ¥36.3973 ¥32.2615 ¥28.6229	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥59.1442 179库存量 240预期 2027/1/28 NRND	制造商零件编号 IMZ120R350M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	数据表	179库存量 240预期 2027/1/28	¥59.1442 ¥39.5387 ¥31.8434 ¥28.2048 ¥24.9843	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥131.5998 17库存量 3,600在途量 NRND	制造商零件编号 IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 的信息	数据表	17库存量 3,600在途量	¥131.5998 ¥74.5235 ¥73.8681 ¥73.7777	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥50.0477 24,945在途量	制造商零件编号 IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser 零件编号 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 了解更多关于Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 的信息	数据表	24,945在途量订单发货日期制造商编号： IMBF170R1K0M1XTMA1 库存： 0 在途量: 1,945 预期 2027/1/7 23,000 待定生产周期： 53 周	剪切带 ¥50.0477 ¥32.7587 ¥24.4871 ¥20.5095 卷轴 ¥17.7862 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC