结果: 10
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 625库存量
¥73.0432
¥48.3866
¥44.6689
¥44.3412
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217库存量
¥144.1767
¥83.2132
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312库存量
剪切带
¥101.4966
¥57.1554
¥55.7542
¥52.771
卷轴
¥52.771
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 497库存量
¥83.8686
¥55.6638
¥52.4433
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202库存量
¥237.978
¥167.0818
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,232库存量
剪切带
¥269.2451
¥215.5588
¥186.4387
¥176.5173
卷轴
¥164.9348
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 253库存量
1,350在途量
¥78.8288
¥44.3412
¥40.7817
¥35.4029
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V 330库存量
剪切带
¥109.9264
¥70.5572
¥66.7491
卷轴
¥66.7491
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13库存量
450预期 2027/2/9
¥89.5864
¥53.9349
¥43.7536
¥39.9568
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TOLL 650V 无库存交货期 52 周
剪切带
¥112.661
¥85.7783
¥71.4612
¥63.6868
¥54.0931
卷轴
¥54.0931
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC