TGF2954 Qorvo | Mouser

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Die
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	32 V
Id-连续漏极电流:	1.7 A
最小工作温度:	- 65 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	34.5 W
商标:	Qorvo
配置:	Single
增益:	19.6 dB
最大工作频率:	15 GHz
最小工作频率:	0 Hz
输出功率:	27 W
封装:	Gel Pack
产品类型:	GaN FETs
系列:	TGF2954
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
技术:	GaN-on-SiC
晶体管类型:	GaN HEMT
零件号别名:	1112246

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5-0810-13

筛选文档:

数据表

TGF2954 数据表 (PDF)

PCN

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合规代码

CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TGF2954 GaN on SiC HEMT

Qorvo TGF2954 Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High-Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from DC to 12GHz and typically provides 44.5dBm of saturated output power (P_SAT) with a power gain of 19.6dB. This field-effect transistor (FET) can switch faster than silicon power transistors. This function, combined with its small footprint, provides more energy efficiency while creating more space for external components. Qorvo TGF2954 GaN on SiC Transistor is offered as a bare die, with chip dimensions of 1.01mm x 1.68mm x 0.10mm. It has a maximum power-added efficiency range of 71.5%, making it appropriate for high-efficiency applications. Typical applications include satellite, point-to-point, and military communications as well as marine radar, defense and aerospace, amplifiers, and broadband wireless.

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。