M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFET具有1200V和1700V额定电压。  onsemi M1 MOSFET设计用于满足要求可靠性和效率的大功率应用需求。 M1 EliteSiC MOSFET采用多种封装选项,包括D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD和裸片。

结果: 27
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1,338库存量
¥174.9466
¥123.3282
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2,372库存量
¥112.0847
¥62.4551
¥60.0482
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947库存量
剪切带
¥174.3703
¥131.0235
¥123.9949
卷轴
¥123.9949
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 753库存量
¥307.8685
¥235.5711
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 660库存量
¥105.2934
¥58.2289
¥58.1498
¥55.3361
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1,830库存量
剪切带
¥78.083
¥45.6633
¥42.6801
¥40.3636
卷轴
¥40.3636
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1,040库存量
¥114.4803
¥63.8563
¥63.6077
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1,930库存量
剪切带
¥100.4118
¥56.4096
¥55.0084
¥52.0252
卷轴
¥52.0252
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1,182库存量
¥135.3288
¥92.5583
¥87.349
¥84.3658
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 84库存量
剪切带
¥458.0794
¥371.7248
¥332.107
卷轴
¥332.107
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 266库存量
¥398.8561
¥339.3051
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224库存量
¥234.8253
¥155.0925
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181库存量
¥118.537
¥63.1105
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53库存量
剪切带
¥241.5262
¥181.1503
¥167.2513
¥149.9623
卷轴
¥149.9623
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 20MW 1200V 2,160库存量
剪切带
¥322.2647
¥243.7636
¥243.5941
¥230.7799
卷轴
¥230.7799
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MW 1200V 745库存量
¥319.6996
¥225.4011
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MW 1200V 755库存量
¥433.1064
¥362.7978
¥328.2989
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426库存量
剪切带
¥113.0678
¥67.3254
¥63.6868
卷轴
¥63.6868
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 177库存量
¥284.0481
¥226.4746
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1,733库存量
¥85.202
¥60.2177
¥50.1268
¥44.6689
¥41.8552
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 363库存量
450预期 2026/10/26
¥193.0605
¥121.6784
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 477库存量
450预期 2027/6/25
¥83.1341
¥45.5729
¥42.0247
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 990库存量
800预期 2027/4/23
剪切带
¥109.9264
¥73.2014
¥67.574
¥56.9859
卷轴
¥56.9859
最低: 1
倍数: 1
最大: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 183库存量
¥108.1071
¥59.9691
¥57.3249
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
6,109在途量
剪切带
¥334.3331
¥271.8102
¥255.7529
¥239.7973
卷轴
¥239.7973
最低: 1
倍数: 1
最大: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC