GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET是通用的、常闭型电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
技术
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
数据表
2,457库存量
剪切带
¥87.9253
¥48.8047
¥46.2396
¥42.3524
卷轴
¥37.7194
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
SMD/SMT VQFN-7 P-Channel 1 Channel 100 V 100 A 1.8 mOhms 6 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
数据表
1,453库存量
剪切带
¥48.3866
¥25.3911
¥23.165
¥20.9276
卷轴
¥17.289
查看
最低： 1
倍数： 1
: 1,500
SMD/SMT WLCSP-22 P-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.7 mOhms 5.5 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 470 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
数据表
988库存量
剪切带
¥22.4192
¥11.0062
¥9.9214
¥7.9213
卷轴
¥6.9608
查看
最低： 1
倍数： 1
: 1,500
SMD/SMT VQFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 7 mOhms 6 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C 182 W Enhancement GaN