DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

结果: 113
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
数据表
132库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 460 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
数据表
326库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=190W F=1MHZ
数据表
40库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
数据表
185库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
数据表
138库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
数据表
79库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
数据表
76库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
数据表
68库存量
2,000预期 2026/10/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
数据表
99库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
数据表
99库存量
最低： 1
倍数： 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
数据表
57库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
73库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
74库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
数据表
154库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
数据表
145库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18.5 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
数据表
82库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
80库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
数据表
58库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
100库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
数据表
38库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
数据表
93库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
数据表
31库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube