OptiMOS™ 8功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET是N沟道、标准电平80V或100V MOSFET,具有非常低的导通电阻(RDS(ON))。80V MOSFET提供双面冷却封装(WSON-8),而100V MOSFET采用标准TDSON-8封装。每种封装均提供出色的热阻性能,且经过100%雪崩测试。英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET采用软恢复二极管,且无铅、无卤,符合RoHS标准。

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Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK 672库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7 199库存量
1,000预期 2026/8/6
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package 33库存量
5,000预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V 12库存量
4,000预期 2027/7/14
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
Infineon Technologies Infineon OptiMOS™ 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK-7 500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package 7库存量
5,000预期 2027/6/10
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
15,377在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
1,000预期 2026/8/4
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
3,870在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
4,000预期 2026/8/6
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

Infineon Technologies Infineon OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK
500预期 2026/7/27
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies Infineon OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in TOLL
500预期 2026/7/27
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

Infineon Technologies Infineon OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in SuperSO8 package
500预期 2026/7/27
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000