R60/R65 N通道功率MOSFET

ROHM Semiconductor R60/R65 N通道功率MOSFET提供单通道输出，漏源电压为600V或650V，采用TO-220FM-3/SOT-223-3封装。R60/R65 MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C/155°C，功率耗散选项为7.8W、6.6W、12.3W、9.1W、40W、46W、48W、53W、68W、74W或86W。R60/R65 N通道功率MOSFET非常适合用于开关应用。

结果: 56
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 66A N-CH MOSFET
数据表
974库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
数据表
1,869库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 66A N-CH MOSFET
数据表
579库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 183A N-CH MOSFET
数据表
594库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 11A N-CH MOSFET
数据表
8,034库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 155 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 15A N-CH MOSFET
数据表
2,894库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 4A N-CH MOSFET
数据表
3,803库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 155 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 15A N-CH MOSFET
数据表
3,429库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 155 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 7A N-CH MOSFET
数据表
1,972库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 11A N-CH MOSFET
数据表
1,938库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 7A N-CH MOSFET
数据表
1,966库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 20A N-CH MOSFET
数据表
2,813库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 155 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 9A N-CH MOSFET
数据表
3,941库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 30A N-CH MOSFET
数据表
2,430库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 9A N-CH MOSFET
数据表
1,964库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 20A N-CH MOSFET
数据表
678库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 9A N-CH MOSFET
数据表
1,727库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 4A N-CH MOSFET
数据表
1,986库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 15A N-CH MOSFET
数据表
3,953库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 60A N-CH MOSFET
数据表
366库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 60A N-CH MOSFET
数据表
600库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 20A N-CH MOSFET
数据表
896库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 4A N-CH MOSFET
数据表
1,959库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 20A N-CH MOSFET
数据表
1,608库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 30A N-CH MOSFET
数据表
3,955库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms 20 V, 30 V 4 V 85 nC - 55 C + 155 C 86 W Enhancement Tube