R60/R65 N通道功率MOSFET

ROHM Semiconductor R60/R65 N通道功率MOSFET提供单通道输出，漏源电压为600V或650V，采用TO-220FM-3/SOT-223-3封装。R60/R65 MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C/155°C，功率耗散选项为7.8W、6.6W、12.3W、9.1W、40W、46W、48W、53W、68W、74W或86W。R60/R65 N通道功率MOSFET非常适合用于开关应用。

结果: 56
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
数据表
4,919库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 155 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
数据表
1,932库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 9A N-CH MOSFET
数据表
3,689库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 155 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 11A N-CH MOSFET
数据表
1,933库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms 20 V, 30 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 24A N-CH MOSFET
数据表
1,995库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 6A N-CH MOSFET
数据表
1,961库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 9A N-CH MOSFET
数据表
1,727库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 4A N-CH MOSFET
数据表
1,986库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 30A N-CH MOSFET
数据表
1,219库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 7A N-CH MOSFET
数据表
4,996库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 30A N-CH MOSFET
数据表
1,970库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
数据表
6,712库存量
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 3.25 Ohms 30 V 7 V 7 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
数据表
7,418库存量
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 2.15 Ohms 20 V 7 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
数据表
7,142库存量
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 1.5 Ohms 20 V 5.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
数据表
7,655库存量
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.8 A 870 mOhms 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 12.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
数据表
2,403库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 650V 42A N-CH MOSFET
数据表
4,934库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
数据表
996库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
数据表
979库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 96 mOhms 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
数据表
778库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
数据表
3,457库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 1.7 A 4 Ohms 20 V 4 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
数据表
1,856库存量
4,000预期 2026/11/23
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 980 mOhms 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 9.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
数据表
965库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
数据表
966库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 390 mOhms 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
数据表
1,951库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube