iS15M2R5S1T-100B

Name: iDEAL Semiconductor iS15M2R5S1T-100B
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS15M2R5S1T-100B
Price: 58.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

25-IS15M2R5S1T-100B

制造商编号：

iS15M2R5S1T-100B

制造商：

iDEAL Semiconductor

说明：

MOSFET N-CH 150V 233A TOLL

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

iS15M2R5S1T-100B 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	iDEAL Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TOLL
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	233 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.3 V
Qg-栅极电荷:	123 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	314 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperQ
封装:	Bulk
商标:	iDEAL Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	4.9 ns
正向跨导 - 最小值:	107 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.6 ns
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	18.8 ns

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已选择的属性: 0

筛选文档:

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

iS15M2R5S1T SuperQ™ 150V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS15M2R5S1T SuperQ™ 150V N-Channel Power MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TOLL package. This power MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads and features high Short-Circuit Withstand Capability (SCWC). The iS15M2R5S1T power MOSFET offers low switching losses, switching charge (Q_SW), and capacitive stored energy (E_OSS). This power MOSFET is fully UIS‑tested and is RoHS compliant. The iS15M2R5S1T power MOSFET is ideal for use in motor control, battery disconnect switch, and switch-mode power on the primary and secondary.