650V碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美(onsemi)650V碳化硅 (SiC) MOSFET与硅器件(Si)相比可提供出色的开关性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低导通电阻,采用紧凑的芯片尺寸,可确保低电容和低栅极电荷。优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

结果: 29
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,250库存量
剪切带
¥227.0509
¥176.5964
¥168.4943
¥167.1722
卷轴
¥167.1722
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 23库存量
4,950在途量
¥103.0673
¥66.67
¥52.8501
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312库存量
剪切带
¥101.4966
¥57.1554
¥55.7542
¥52.771
卷轴
¥52.771
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1,046库存量
¥158.313
¥111.9943
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 449库存量
¥172.9578
¥113.4068
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 766库存量
¥90.0723
¥51.528
¥47.6408
¥47.234
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 1,589库存量
¥100.0841
¥69.3142
¥67.913
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 380库存量
¥90.4904
¥58.7261
¥55.6638
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 1,282库存量
剪切带
¥193.7159
¥144.6739
¥125.0684
¥112.1638
卷轴
¥112.1638
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 497库存量
¥83.8686
¥55.6638
¥52.4433
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 794库存量
剪切带
¥106.7059
¥69.7323
¥66.4214
¥66.0033
卷轴
¥66.0033
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202库存量
¥237.978
¥167.0818
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 453库存量
剪切带
¥320.2759
¥241.9443
¥241.8652
¥229.0397
卷轴
¥229.0397
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 418库存量
剪切带
¥159.895
¥100.4118
¥95.0443
卷轴
¥95.0443
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TOLL 650V 1,364库存量
剪切带
¥91.982
¥62.6133
¥60.3872
卷轴
¥60.3872
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S 750库存量
剪切带
¥78.9079
¥43.3468
卷轴
¥43.3468
最低: 1
倍数: 1
最大: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S 576库存量
¥86.9309
¥47.8894
最低: 1
倍数: 1
最大: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 422库存量
¥82.1397
¥45.3243
¥39.9568
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S 2,818库存量
¥83.959
¥46.4091
最低: 1
倍数: 1
最大: 45
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S 722库存量
剪切带
¥134.7412
¥80.569
卷轴
¥80.569
最低: 1
倍数: 1
最大: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S 800库存量
剪切带
¥119.2715
¥68.817
卷轴
¥68.817
最低: 1
倍数: 1
最大: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S 400库存量
¥170.2345
¥106.4573
最低: 1
倍数: 1
最大: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S 396库存量
¥126.56
¥71.3821
最低: 1
倍数: 1
最大: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 450库存量
¥138.4702
¥80.3995
最低: 1
倍数: 1
最大: 45
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 438库存量
¥123.4073
¥93.9708
¥78.3316
¥69.8114
¥65.2575
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC