您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

SIA429DJT-T1-GE3

Name: Vishay SIA429DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA429DJT-T1-GE3
Price: 8.56 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

781-SIA429DJT-T1-GE3

制造商编号：

SIA429DJT-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

数据表:

SIA429DJT-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Vishay Semiconductors SIA429DJT-T1-GE3详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	20.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	62 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3.5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET, PowerPAK
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	SIA
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
零件号别名:	SIA429DJT-GE3

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SIA429DJT-T1-GE3 数据表

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiA429DJT 20V P通道MOSFET

Vishay Siliconix SiA429DJT 20V P通道TrenchFET®功率MOSFET在型面小于0.8mm的P通道器件中具有业界最低的导通电阻，所有2mmx2mmP通道器件均具有最低导通电阻。Vishay Siliconix SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET采用热增强型Thin PowerPAK® SC-70封装，具有0.6mm的超薄型面。SiA429DJT是用于DC/DC转换器以及负载和充电器开关的理想产品。在1.8V时，SiA429DJT TrenchFET MOSFET的导通电阻比与其性能最接近的器件低12%，其中包括具有0.8mm标准型面的MOSFET。较低导通电阻转换为较低的导电损耗。
了解更多

特色产品

VISHAY

SiJK5100E N 通道 MOSFET

TrenchFET^® 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压和536W最大功耗。

了解更多的信息

SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

采用PowerPAK^® 8mmx8mm BWL封装，导通电阻为0.00115Ω。

了解更多的信息

SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET

采用TrenchFET^® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。

了解更多的信息

采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

了解更多的信息

SiRS5700DP N 沟道 150 V (D-S) MOSFET

TrenchFET®第五代功率MOSFET，具有非常低的R_{DS x}Q_g 品质因数（FOM）。

了解更多的信息

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 3,000

预期 2027/3/11

3,000

预期 2027/4/29
生产周期：: 41

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥9.6728	¥9.67
	¥6.893	¥68.93
	¥4.294	¥429.40
	¥2.9606	¥1,480.30
	¥2.486	¥2,486.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.8871	¥5,661.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SIA429DJT-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

规格

文件 (10)

数据表

Models

PCN

Technical Resources

环境文件

产品与贸易合规

更多信息

SiA429DJT 20V P通道MOSFET

客户还购买了

特色产品 VISHAY

供货情况

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

特色产品

VISHAY