NVD6824NLT4G-UM

Name: onsemi NVD6824NLT4G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-NVD6824NLT4G-UM
Price: 22.77 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVD6824NLT4G-UM

制造商编号：

NVD6824NLT4G-UM

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NVD6824NLT4G-UM 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	41 A
Rds On-漏源导通电阻:	20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	66 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	90 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	42 ns
正向跨导 - 最小值:	18 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	55 ns
系列:	NVD6824NL
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	31 ns
典型接通延迟时间:	15 ns

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数据表

NVD6824NLT4G-UM 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-6-3 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 越南
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVD6824NL单N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NVD6824NL单N沟道MOSFET具备低R_DS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。此系列MOSFET的漏源电压为100V，最大漏源导通电阻为20mΩ，漏极连续电流为41A。NVD6824NL MOSFET通过AEC-Q101认证，且具备PPAP能力。此系列MOSFET具备规定的雪崩能量。NVD6824NL MOSFET不含铅、卤素/BFR，符合RoHS标准。此系列MOSFET适用于汽车应用，如电磁阀驱动器和升压开关。