NTBL016N065M3S

Name: onsemi NTBL016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL016N065M3S
Price: 73.13 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTBL016N065M3S

制造商编号：

NTBL016N065M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET EliteSiC, 16 mohm, 650V, M3S, TOLL

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NTBL016N065M3S 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NTBL016N065M3S详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H-PSOF-8L
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	103 A
Rds On-漏源导通电阻:	23.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	104 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	416 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	27 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	15 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	EliteSiC
典型关闭延迟时间:	42 ns
典型接通延迟时间:	17 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NTBL016N065M3S 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-6-29 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTBL016N065M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) NTBL016N065M3S EliteSiC MOSFET具有16mΩ的极低导通电阻（V_GS = 18V时）和104nC的超低栅极电荷。该MOSFET漏-源额定电压为650V，漏极电流可达103A（25°C时）。NTBL016N065M3S MOSFET已100%通过雪崩测试，可工作在-55°C至+175°C宽温度范围内。该MOSFET无铅、无卤化物，采用表面贴装H-PSOF8L封装。典型应用包括开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、储能，以及EV充电基础设施。