NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
Navitas Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
数据表
780库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
数据表
788库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
数据表
739库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
数据表
725库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
数据表

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
数据表

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
数据表

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
数据表

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C