您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

NVHL015N065SC1

Name: onsemi NVHL015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL015N065SC1
Price: 284.75 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVHL015N065SC1

制造商编号：

NVHL015N065SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

数据表:

NVHL015N065SC1 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NVHL015N065SC1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	163 A
Rds On-漏源导通电阻:	12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	283 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	643 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	44 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	77 ns
系列:	NVHL015N065SC1
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	47 ns
典型接通延迟时间:	25 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NVHL015N065SC1 数据表

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低R_DS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美（onsemi） NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET采用新技术，具有出色的开关性能和高可靠性。该碳化硅MOSFET采用N沟道，具有高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，这样确保了低的电容和栅极电荷。该EliteSiC MOSFET经过了100%的UIL测试，并符合AEC−Q101标准。NVHL015N065SC1 MOSFET具有650V漏极−−源极电压和12mohm电阻。典型应用包括汽车牵引逆变器、EV/HEV直流/直流转换器，以及车载充电器。