NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

结果: 1,613
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
数据表
45库存量
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1
否
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1
否
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1
否
36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 255 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1
否
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 18 9M
数据表
38库存量
最低： 1
倍数： 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
数据表
71库存量
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 256 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 2M x 36 72M
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

72 Mbit 2 M x 36 8.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 36 36M
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 235 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1
72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 395 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 NBT 静态随机存取存储器s, 9Mb, x32, 150MHz, Commercial Temp
数据表
415预期 2026/8/7
最低： 1
倍数： 1

9 Mbit 256 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
10预期 2026/8/4
最低： 1
倍数： 1
否
144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 415 mA, 535 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
36预期 2026/7/29
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
36预期 2026/8/4
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
数据表
交货期 3 周
最低： 1
倍数： 1

36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
数据表
36预期 2026/8/4
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
数据表
4在途量
最低： 1
倍数： 1
36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器
3预期 2026/8/27
最低： 1
倍数： 1
否
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-165