G3VH SiC MOSFET继电器

Omron G3VH SiC MOSFET继电器基于碳化硅 (SiC) MOSFET技术，可实现1000V或更高电压的切换。这些继电器支持高达1800V或3300V的负载电压，同时保持低导通电阻实现高效操作。G3VH继电器采用紧凑型6引脚DIP封装，触点配置为常开（1a/SPST-NO）。这些G3VH SiC MOSFET继电器具有50mA输入正向电流、输入输出之间高达5000Vrms的高隔离度，以及快速的切换性能。典型应用包括需要高压切换的半导体测试设备和电池管理系统 (BMS)。

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数量 RoHS ECAD模型 封装
安装风格
负载电压额定值
继电器触点形式
封装 / 箱体
输出类型
最小工作温度
最大工作温度
长度
宽度
高度
系列
Omron Electronics 固态继电器-PCB安装 1800 V 30 mA SiC MOSFET
数据表
更多信息可用

PCB Mount 1.8 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 固态继电器-PCB安装 1800 V 30 mA SiC MOSFET
数据表
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PCB Mount 1.8 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 固态继电器-PCB安装 3300 V 300 mA SiC MOSFET
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PCB Mount 2.64 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 固态继电器-PCB安装 3300 V 300 mA SiC MOSFET
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PCB Mount 2.64 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 固态继电器-PCB安装 1800V 30 mA SiC MOSFET
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Reel PCB Mount 1.8 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 固态继电器-PCB安装 3300V 300 mA SiC MOSFET
数据表

Reel PCB Mount 2.64 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH