QPD1026L

Name: Qorvo QPD1026L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1026L
Price: 11194.5 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

772-QPD1026L

制造商编号：

QPD1026L

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

数据表:

QPD1026L 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
商标:	Qorvo
最大工作频率:	450 MHz
最小工作频率:	420 MHz
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	1.5 kW
封装:	Waffle
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD1026L
工厂包装数量:	18
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	HEMT

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合规代码

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

QPD1026L GaN射频输入匹配晶体管

Qorvo QPD1026L GaN射频输入匹配晶体管是一款1300W (P3dB) 分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC HEMT)，工作频率范围为420MHz至450MHz。QPD1026L在440MHz时的线性增益为25.9dB。封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配，节省电路板空间。该器件支持连续波和脉冲操作。