A5Gx Airfast射频功率GaN晶体管

NXP Semiconductors A5Gx Airfast射频功率GaN晶体管是一款85W和112W非对称Doherty射频功率GaN晶体管。 NXP Semiconductors A5Gx晶体管非常适合用于需要宽带宽的蜂窝基站应用。 该器件的性能在每个部件的指定频率范围内均得到保证，但在指定范围之外则不予保证。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
Vds-漏源极击穿电压
最小工作温度
最大工作温度
最大工作频率
最小工作频率
技术

NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

1.995 GHz 1.93 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
数据表
208库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.2 GHz 2.11 GHz GaN-on-Si

NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 850 MHz 717 MHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 1.88 GHz 1.805 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.69 GHz 2.496 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 960 MHz 865 MHz GaN-on-Si