NTP110N65S3HF

Name: onsemi NTP110N65S3HF
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP110N65S3HF
Price: 52.26 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTP110N65S3HF

制造商编号：

NTP110N65S3HF

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO220

数据表:

NTP110N65S3HF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	62 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	240 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperFET III
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	25 ns
正向跨导 - 最小值:	18 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
系列:	SuperFET3
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	85 ns
典型接通延迟时间:	24 ns
单位重量:	2 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTP110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III功率MOSFET

安森美半导体NTP110N65S3HF 650V 30A SUPERFET^® III功率MOSFET是一款高电压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。借助电荷平衡技术，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能够承受极高的dV/dt速率。NTP110N65S3HF SUPERFET III MOSFET非常适合用于需要小尺寸和高效率的电源系统。NTP110N65S3HF还具有经过优化的反向恢复体二极管性能，从而减少了额外需要的元件数量，并提高了系统可靠性。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。