您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

NVMJD010N10MCLTWG

Name: onsemi NVMJD010N10MCLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-VMJD010N10MCLTWG
Price: 26.21 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-VMJD010N10MCLTWG

制造商编号：

NVMJD010N10MCLTWG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

数据表:

NVMJD010N10MCLTWG 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NVMJD010N10MCLTWG详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	LFPAK-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	62 A
Rds On-漏源导通电阻:	10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	26.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	84 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	28 ns
正向跨导 - 最小值:	61 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	32 ns
系列:	NVMJD010N10MCL
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	68 ns
典型接通延迟时间:	8 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NVMJD010N10MCLTWG 数据表

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMJD010N10MCL功率MOSFET

安森美（onsemi）NVMJD010N10MCL功率MOSFET是一款双N沟道MOSFET，设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。该功率MOSFET的漏-源电压为100V，漏极电阻为10mΩ，连续漏极电流为62A。NVMJD010N10MCL MOSFET具有总栅极电荷（Q_G）低和电容小的特点，从而可以最大限度地减少驱动器损耗。该MOSFET采用5mmx6mm扁平引线封装，是一款符合AEC-Q101标准的MOSFET。该器件无铅、无卤/无BFR、无铍，符合RoHS指令。该功率MOSFET非常适合用于电磁阀驱动器低侧/高侧驱动器、汽车发动机控制器和防抱死制动系统。