GaN 场效应晶体管

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	GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN EPC2367 EPC 1: ¥63.6868 16,222库存量 6,000预期 2026/11/4 新产品	制造商零件编号 EPC2367 Mouser 零件编号 65-EPC2367 新产品	EPC	GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 了解更多关于EPC 2367 egan fets 的信息	数据表	16,222库存量 6,000预期 2026/11/4	剪切带 ¥63.6868 ¥34.6571 ¥31.7643 ¥30.1936 ¥26.8827 卷轴 ¥23.2441	最低： 1 倍数： 1 : 3,000			SMD/SMT	QFN-5	N-Channel	1 Channel	100 V	101 A	1.2 mOhms	- 4 V, 6 V	2.5 V	17 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET	GaN
	GaN 场效应晶体管 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. EPC EPC2367A EPC2367A EPC 受限供货情况 Mouser 的新产品	制造商零件编号 EPC2367A Mouser 零件编号 65-EPC2367A Mouser 的新产品	EPC	GaN 场效应晶体管 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. 了解更多关于EPC 2367 egan fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况

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