第四代E系列MOSFET

Vishay Semiconductors第四代E系列MOSFET是低品质因数 (FOM) MOSFET，采用E系列技术。第四代E系列MOSFET具有低有效电容，能够减少开关和导通损耗。这些MOSFET可耐受雪崩能量测试 (UIS)。第四代MOSFET采用TO-220AB、PowerPAK® SO-8L、PowerPAK® 8x8、DPAK (TO-252) 和薄引线TO-220 FULLPAK封装。典型应用包括服务器和电信电源、照明、工业、开关模式电源 (SMPS) 和功率因素校正 (PFC) 电源。

结果: 31
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 N CHAN 700V 34A
数据表
2,115预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 2 Channel 700 V 34 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 173 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tray
Vishay / Siliconix MOSFET SOT669 600V 5.6A N-CH MOSFET
数据表
3,000预期 2026/11/12
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 600 V 5.6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB
数据表
1,000预期 2027/1/18
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power
数据表
N/A
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
数据表
N/A
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.4A N-CH MOSFET
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET