|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥105.542
-
3,717库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R025D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
3,717库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
70 A
|
30 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
236 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥61.5398
-
2,968库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI65D1414A3MSXU
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2,968库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-32
|
N-Channel
|
2 Channel
|
650 V
|
|
170 mOhms
|
|
1.6 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
|
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGL65R055D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥58.3193
-
1,498库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGL65R055D2XUMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1,498库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
22 A
|
70 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
4.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
111 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
Si
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGL65R080D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥48.8047
-
1,787库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGL65R080D2XUMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1,787库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
18 A
|
100 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
25 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
81 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
Si
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGL65R110D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥38.4652
-
2,711库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGL65R110D2XUMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,711库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
16 A
|
140 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
2.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
59 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
Si
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGL65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥33.0073
-
2,275库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGL65R140D2XUMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,275库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
13 A
|
170 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
47 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
Si
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥60.0482
-
2,103库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R055D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,103库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LSON-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
20 A
|
70 mOhms
|
- 10 V
|
1.2 V
|
4.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
91 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R080D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥50.2963
-
959库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R080D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
959库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LSON-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
18 A
|
100 mOhms
|
- 10 V
|
1.2 V
|
3.3 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
68 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R110D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥39.6178
-
2,537库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R110D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,537库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LSON-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
20 A
|
140 mOhms
|
- 10 V
|
1.2 V
|
2.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
51 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R140D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥34.0017
-
2,657库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R140D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,657库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LSON-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
12 A
|
170 mOhms
|
- 10 V
|
1.2 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
42 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R035D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥88.5016
-
1,466库存量
-
8,000预期 2026/10/22
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R035D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1,466库存量
8,000预期 2026/10/22
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
49 A
|
42 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
7.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
167 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥70.8849
-
1,462库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R045D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1,462库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
38 A
|
54 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
131 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R055D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥61.5398
-
2,222库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R055D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,222库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
31 A
|
66 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
4.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
106 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R140D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥33.5045
-
1,518库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R140D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1,518库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
13 A
|
170 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
47 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
GaN
|
|