High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

结果: 69
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4
数据表
3,278库存量
¥171.9747
¥102.9204
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
数据表
26库存量
2,400在途量
剪切带
¥101.0898
¥71.4725
¥53.0761
¥50.2059
卷轴
¥50.2059
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7
数据表
237库存量
剪切带
¥212.44
¥158.6859
¥137.2272
¥122.9779
卷轴
¥122.9779
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220
数据表
335库存量
1,000预期 2026/11/13
¥230.9381
¥184.9019
¥159.895
¥143.3066
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
数据表
343库存量
剪切带
¥110.9095
¥63.6642
¥58.6244
¥55.4943
卷轴
¥55.4943
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
数据表
382库存量
¥318.4001
¥236.7576
¥224.6101
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
数据表
626库存量
¥106.9206
¥61.2347
¥56.7938
¥54.3643
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263
数据表
1,266库存量
剪切带
¥68.3537
¥36.9171
¥36.5668
¥35.2673
卷轴
¥35.2673
¥30.8377
最低： 1
倍数： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4
数据表
583库存量
¥112.0395
¥62.8845
¥58.3645
¥56.1045
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
数据表
1,142库存量
¥183.7719
¥112.1299
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
数据表
202库存量
¥255.1653
¥190.4728
¥189.7722
¥170.1441
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3
数据表
513库存量
¥232.328
¥144.1767
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247
数据表
1,258库存量
¥134.5378
¥80.1622
¥68.2746
¥62.7941
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7
数据表
279库存量
剪切带
¥256.9168
¥203.5017
¥189.7722
¥171.6131
卷轴
¥171.6131
最低： 1
倍数： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO26
数据表
618库存量
剪切带
¥167.014
¥104.7397
¥101.7113
卷轴
¥97.7902
最低： 1
倍数： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3
数据表
699库存量
¥105.0109
¥57.7543
¥57.6639
¥54.3643
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4
数据表
562库存量
¥114.469
¥63.5738
¥60.794
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
数据表
892库存量
¥222.8586
¥143.3066
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
数据表
1,166库存量
¥169.4435
¥101.0107
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
数据表
610库存量
¥256.2953
¥170.1441
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220
数据表
475库存量
¥104.1408
¥60.0143
¥55.4943
¥51.6749
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263
数据表
648库存量
剪切带
¥121.8592
¥69.7436
¥66.0033
卷轴
¥66.0033
最低： 1
倍数： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4
数据表
445库存量
¥676.6666
¥579.0346
报价
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-4
数据表
466库存量
¥613.6126
¥504.6015
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/9MOSICFETG3TO247-4
数据表
358库存量
¥620.4717
¥489.5838
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET