1700V分立碳化硅(SiC)MOSFET

Wolfspeed 1700V分立碳化硅(SiC)MOSFET专为在高压功率转换系统中提供卓越的效率、功率密度和可靠性而设计。通过利用先进的SiC技术,这些MOSFET与传统的基于硅的器件相比,可实现更快的开关速度、更高的工作频率和更低的功率损耗。结果是系统设计更小、更轻、更高效,冷却要求降低,整体系统成本更低。Wolfspeed 1700V器件采用12V至15V栅极驱动操作,电容小,耐压能力高,可在要求苛刻的工业和能源应用中提供强大的性能。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 900m, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial 2,444库存量
剪切带
¥49.0533
¥27.7076
¥23.9899
¥19.9332
卷轴
¥18.193
¥15.142
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 900m, 1700V, TO-247-3, Industrial 1,661库存量
900预期 2026/12/7
¥50.3754
¥30.3518
¥23.8995
¥20.1027
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 900m, 1700V, TO-247-3PF, Industrial 301库存量
¥46.556
¥23.6283
¥21.4474
¥18.1478
¥17.289
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-3PF-3 1 Channel 1700 V 4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 30m, 1700V, TO-247-3, Industrial
870在途量
¥333.1692
¥207.0612
¥205.0611
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 222 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 30m, 1700V, TO-247-4, Industrial
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 30m, 1700V, TO-247-4 Plus, Industrial
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M