GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

结果: 7
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
最大工作频率
最小工作频率
技术
Central Semiconductor GaN 场效应晶体管 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
数据表
2,460库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion GaN
Central Semiconductor GaN 场效应晶体管 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET
数据表
1,359库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W GaN
Central Semiconductor GaN 场效应晶体管 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
数据表
2,490库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement GaN
Central Semiconductor GaN 场效应晶体管 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7"
数据表
2,483库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW GaN
Central Semiconductor GaN 场效应晶体管 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
数据表
2,458库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion GaN
Central Semiconductor GaN 场效应晶体管 650V, 11A, N-Channel GaN FET
数据表
2,080库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN
Central Semiconductor GaN 场效应晶体管 650V, 17A, N-Channel GaN FET
数据表
2,428库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN