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IXSJ25N120R1K

IXYS

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXSJ25N120R1K

制造商编号：

IXSJ25N120R1K

制造商：

IXYS

说明：

碳化硅MOSFET 1200V 62mOhm 28A at 25C in TO247-4L

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IXSJ25N120R1K 数据表 (PDF)

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	碳化硅MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	ISO247-4L
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	28 A
Rds On-漏源导通电阻:	81 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 21 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	49 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
通道模式:	Enhancement
商标:	IXYS
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	8.3 S
封装:	Tube
产品:	Power MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	12 ns
工厂包装数量:	300
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	SiC Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	21 ns
典型接通延迟时间:	10 ns

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXSJ25N120R1K 数据表 (PDF)

合规代码

USHTS:: 8541290095

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

IXYS

IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET

适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。

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IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET

1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。

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IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET

1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。

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IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET

1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。

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IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET

1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。

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