CGHV27030S

MACOM
941-CGHV27030S
CGHV27030S

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

数据表:
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库存量: 419

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥700.1028 ¥700.10
¥582.8992 ¥5,828.99
¥558.2539 ¥13,956.35
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥558.2539 ¥139,563.48
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-12
N-Channel
150 V
3.6 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
12 W
商标: MACOM
配置: Single
增益: 21 dB
最大漏极/栅极电压: 50 V
最大工作频率: 2.7 GHz
最小工作频率: 0 Hz
湿度敏感性: Yes
输出功率: 30 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
单位重量: 282.130 mg
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

CGHV27030S 氮化镓高电子迁移率晶体管

Wolfspeed CGHV27030S 30W 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有宽带宽能力以及高效率和高增益。 CGHV27030S 在 DC-6.0GHz 下工作，具有 21dB 的增益、-36dBc 的 ACLR，5W PAVE 时的效率为 32%。 该晶体管可由 28V 或 50V 电源轨供电。 CGHV27030S 还可应用高度的 ADP 和 DPD 校正。 CGHV27030S 氮化镓高电子迁移率晶体管非常适合用于 700-960MHz、1200-1400MHz、1800-2200MHz、2500-2700MHz 和 3300-3700MHz 电信应用（采用 28V 和 50V 供电电压）。该器件还非常适合用于 20-2500MHz 战术通信应用、L 波段雷达和 S 波段雷达。
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