结果: 40
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET
数据表
248库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
数据表
274库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
数据表
183库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
数据表
1库存量
300预期 2026/12/28
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.5 Amps 1000V
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET
数据表
215库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
数据表
549库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
数据表
263库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 1
数据表
158库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET
数据表
2,248库存量
50预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
数据表
406库存量
1,200预期 2027/2/1
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200
数据表
655库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1500V High Voltage Power MOSFET
数据表
310库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
数据表
14库存量
350预期 2026/10/28
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
数据表
113库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET
数据表
43库存量
300预期 2027/1/4
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
数据表
523在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
数据表
285预期 2027/3/16
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube