结果: 40
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
IXYS MOSFET TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT 无库存交货期 26 周
¥57.6526
¥52.3642
最低: 300
倍数: 30
Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1.5 kV 1.83 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 73 W Tube
IXYS MOSFET TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT 无库存交货期 26 周
¥270.974
最低: 300
倍数: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.5 Amps 1000V 无库存
剪切带
¥30.849
¥20.1818
卷轴
¥20.1818
¥14.6448
¥12.2379
最低: 1
倍数: 1
: 75
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V - 55 C + 150 C 40 W Reel, Cut Tape

IXYS MOSFET 24 Amps 1000V 无库存交货期 28 周
¥218.6211
最低: 300
倍数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 400 mOhms 20 V 5.5 V 267 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds 无库存
¥34.4085
¥30.6004
¥27.5494
最低: 300
倍数: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 7 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 13 Amps 800V 无库存
¥66.2519
¥58.9747
¥55.1666
最低: 300
倍数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds 无库存
¥103.6436
¥86.2755
¥76.9304
¥71.8793
最低: 30
倍数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds 无库存交货期 28 周
¥71.0544
最低: 300
倍数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 350 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds 无库存交货期 22 周
¥187.2636
最低: 300
倍数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds 无库存
¥69.156
¥61.6189
¥57.5735
最低: 300
倍数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 67 Amps 100V 0.025 Rds 无库存
¥85.1116
¥70.8058
¥63.1105
¥58.9747
最低: 30
倍数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67 A 25 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A 无库存交货期 26 周
¥246.7468
最低: 300
倍数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds 无库存
¥112.9096
¥106.8641
最低: 300
倍数: 300
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 33 A 170 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds 无库存交货期 38 周
¥23.8995
¥17.6958
最低: 300
倍数: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds 无库存
¥225.4011
¥194.8007
¥184.4612
最低: 30
倍数: 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube