RN汽车用内置偏置电阻型晶体管

Toshiba RN汽车用内置偏置电阻型晶体管 (BRT) 符合AEC-Q101标准，并针对开关、逆变器电路、接口连接和驱动器电路应用优化。偏置电阻为集成式设计，可减少所需的外部零件数量，同时缩小系统尺寸并节省组装时间。Toshiba RN汽车偏置电阻型BRT提供广泛的电阻范围，适用于各种电路设计。

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数量 RoHS
Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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41,000库存量
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: 8,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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37,368库存量
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: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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5,998库存量
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倍数： 1
: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
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7,943库存量
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: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5,942库存量
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倍数： 1
: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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5,980库存量
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: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5,953库存量
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: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
数据表
5,119库存量
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倍数： 1
: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
数据表
2,715库存量
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倍数： 1
: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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5,985库存量
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: 3,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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4,724库存量
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倍数： 1
: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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7,688库存量
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: 4,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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5,870库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
数据表
7,662库存量
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倍数： 1
: 4,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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5,617库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
数据表
30,270库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
数据表
6,269库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Toshiba ESD保护二极管/TVS二极管 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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8,113库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
数据表
14,007库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 8,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
数据表
3,000库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
数据表
984库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
数据表
5,764库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
数据表
7,585库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM)
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6,937库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
数据表
487库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000