GaN 场效应晶体管

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CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管

英飞凌CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管采用高效GaN（氮化镓）晶体管技术，可在高达650V的电压范围内进行功率转换。英飞凌的GaN技术通过端到端的大规模量产，使E模式（增强模式）概念走向成熟。这种开创性的质量确保了最高标准，并提供了最可靠的性能。增强模式CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管具有超快开关速度，可提高系统效率和功率密度。

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Id-连续漏极电流

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	技术
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ¥32.2615 4,511库存量新产品	制造商零件编号 IGLR65R140D2XUMA1 Mouser 零件编号 726-IGLR65R140D2XUMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	4,511库存量	剪切带 ¥32.2615 ¥21.1762 ¥14.803 ¥12.1588 ¥11.6616 卷轴 ¥9.8423	最低： 1 倍数： 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ¥23.7413 4,815库存量新产品	制造商零件编号 IGLR65R200D2XUMA1 Mouser 零件编号 726-IGLR65R200D2XUMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	4,815库存量	剪切带 ¥23.7413 ¥15.3906 ¥10.5881 ¥8.5202 卷轴 ¥6.6557 查看 ¥7.9552 ¥7.8083 ¥6.4975	最低： 1 倍数： 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ¥20.679 4,699库存量新产品	制造商零件编号 IGLR65R270D2XUMA1 Mouser 零件编号 726-IGLR65R270D2XUMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	4,699库存量	剪切带 ¥20.679 ¥13.3227 ¥9.0965 ¥7.2433 卷轴 ¥5.6274 查看 ¥6.5879 ¥6.4975 ¥5.3901	最低： 1 倍数： 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies 1: ¥91.0667 1,661库存量 1,800预期 2027/1/28 新产品	制造商零件编号 IGLT65R035D2ATMA1 Mouser 零件编号 726-IGLT65R035D2ATMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	1,661库存量 1,800预期 2027/1/28	剪切带 ¥91.0667 ¥52.1156 ¥49.4601 ¥46.6464 ¥40.3636 卷轴 ¥40.0359	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies 1: ¥70.8849 977库存量新产品	制造商零件编号 IGLT65R045D2ATMA1 Mouser 零件编号 726-IGLT65R045D2ATMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	977库存量	剪切带 ¥70.8849 ¥38.5443 ¥35.4029 ¥34.8266 ¥30.3518 卷轴 ¥28.3743	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	38 A	54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W		GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies 1: ¥39.0415 1,262库存量新产品	制造商零件编号 IGLT65R110D2ATMA1 Mouser 零件编号 726-IGLT65R110D2ATMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	1,262库存量	剪切带 ¥39.0415 ¥25.8092 ¥18.2834 ¥15.7183 卷轴 ¥12.7351	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	15 A	140 mOhms	- 10 V	1.6 V	3.4 nC	- 40 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ¥110.2654 602库存量新产品	制造商零件编号 IGOT65R025D2AUMA1 Mouser 零件编号 726-IGOT65R025D2AUMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	602库存量	剪切带 ¥110.2654 ¥73.9472 ¥68.4893 ¥59.3928 卷轴 ¥49.7991	最低： 1 倍数： 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	61 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ¥91.2362 467库存量新产品	制造商零件编号 IGOT65R035D2AUMA1 Mouser 零件编号 726-IGOT65R035D2AUMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	467库存量	剪切带 ¥91.2362 ¥50.7822 ¥48.477 ¥39.6178 卷轴 ¥39.5387	最低： 1 倍数： 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ¥73.0432 2,068库存量新产品	制造商零件编号 IGOT65R045D2AUMA1 Mouser 零件编号 726-IGOT65R045D2AUMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	2,068库存量	剪切带 ¥73.0432 ¥39.7873 ¥35.6515 卷轴 ¥31.5157 ¥29.5269	最低： 1 倍数： 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ¥60.9635 583库存量新产品	制造商零件编号 IGOT65R055D2AUMA1 Mouser 零件编号 726-IGOT65R055D2AUMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	583库存量	剪切带 ¥60.9635 ¥32.6683 ¥29.945 ¥24.069 卷轴 ¥23.2441	最低： 1 倍数： 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ¥105.2143 9,060在途量新产品	制造商零件编号 IGLT65R025D2AUMA1 Mouser 零件编号 726-IGLT65R025D2AUMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	9,060在途量订单发货日期制造商编号： IGLT65R025D2AUMA1 库存： 0 在途量: 1,860 预期 2026/10/8 3,600 预期 2026/10/22 3,600 预期 2027/5/20 生产周期： 18 周	剪切带 ¥105.2143 ¥59.6414 ¥58.7261 ¥58.1498 ¥47.9798 卷轴 ¥47.8894	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	67 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	219 W	Enhancement	GaN
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies 1: ¥59.4719 3,596在途量新产品	制造商零件编号 IGLT65R055D2ATMA1 Mouser 零件编号 726-IGLT65R055D2ATMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	3,596在途量	剪切带 ¥59.4719 ¥35.2334 ¥30.3518 ¥27.8771 ¥23.8995 卷轴 ¥23.8995	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN

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