700V CoolGaN™ G4功率晶体管

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率晶体管是增强模式硅基氮化镓功率晶体管，具有允许电流大、击穿电压高、开关频率高的特性。GaN Systems 创新采用了业界领先的突破性技术，例如获得专利的Island Technology® 单元布局，其实现了大电流裸片和高产出。这些700V CoolGaN功率晶体管可在电源开关中实现超高功率密度设计和高系统效率。GS-065功率晶体管采用底部冷却PDFN封装。这些功率晶体管具有非常低的结壳热阻，因此非常适合用于要求苛刻的大功率应用。其中一些应用包括数据中心和计算解决方案、电源适配器、LED照明驱动器、开关模式电源 (SMPS)、无线电源传输和电机驱动器。

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
通道模式
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
234库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
88库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
761库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
165库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
55库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
83库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement