QPD0005TR13

Qorvo
772-QPD0005TR13
QPD0005TR13

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor

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Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
48 V
5 GHz
2.5 GHz
GaN
商标: Qorvo
增益: 18.8 dB
最大漏极/栅极电压: 48 V
湿度敏感性: Yes
输出功率: 5 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品类型: GaN FETs
系列: QPD0005
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
零件号别名: QPD0005 QPD0005SR
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PCN

Product Catalogs

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合规代码
USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

QPD0005 GaN射频晶体管

Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)，采用塑料包覆成型DFN封装。这些射频晶体管的工作频率范围为2.5GHz至5GHz。Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单级、不匹配晶体管，能够在48V电压下提供8.7W PSAT 。这些晶体管采用4.5mm x 4.0mm封装，符合RoHS指令。应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G大规模MIMO和通用应用。

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
16 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥83.3714 ¥83.37
¥64.7942 ¥647.94
¥60.1951 ¥1,504.88
¥55.144 ¥5,514.40
¥52.2851 ¥13,071.28
¥51.2455 ¥25,622.75
¥50.3754 ¥50,375.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥50.285 ¥125,712.50

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