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NTMFS0D7N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D7N04XMT1G
Price: 20.86 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTMFS0D7N04XMT1G

制造商编号：

NTMFS0D7N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

数据表:

NTMFS0D7N04XMT1G 数据表

ECAD模型:

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库存量: 171

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在途量:: 7,500

预期 2027/2/12

12,000

4,500

预期 2027/3/5

7,500

待定
生产周期：: 50

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本产品所报告的交付时间长。

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥23.5718	¥23.57
	¥15.142	¥151.42
	¥10.3395	¥1,033.95
	¥8.7688	¥4,384.40
	¥6.9269	¥6,926.90
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥6.9269	¥10,390.35

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	323 A
Rds On-漏源导通电阻:	700 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	72.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	134 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	6.32 ns
正向跨导 - 最小值:	244
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.12 ns
系列:	NTMFS0D7N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	39.1 ns
典型接通延迟时间:	25.8 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTMFS0D7N04XMT1G 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。