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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 30.89 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTMFWS1D5N08XT1G

制造商编号：

NTMFWS1D5N08XT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

数据表:

NTMFWS1D5N08XT1G 数据表

ECAD模型:

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在途量:: 4,380

预期 2027/1/1

1,500

预期 2027/2/22
生产周期：: 27

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 280

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥34.9057	¥34.91
	¥22.826	¥228.26
	¥17.0404	¥1,704.04
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥17.0404	¥25,560.60

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO8FL-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	253 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.43 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	83 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	194 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	176 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	NTMFWS1D5N08X
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	43 ns
典型接通延迟时间:	24 ns

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NTMFWS1D5N08XT1G 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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