SiC肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor^® SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管具有很小的总电容电荷 (Qc)，可减少开关损耗，实现高速开关操作。此外，与trr随温度增大的硅基快速恢复二极管不同，SiC设备能维持恒定特性，可提供更高的性能。此系列二极管适用于各种应用的关键设备，包括用于EV和太阳能电力调节器的逆变器和转换器。