单N和P通道功率MOSFET

onsemi单NP通道功率MOSFET占用空间小,可用于紧凑型设计;RDS(on)低,将传导损耗降至最低;QG和电容低,将驱动器损耗降至最低。onsemi单NP通道功率MOSFET不含铅,适合用于需符合AEC−Q101标准的场地、需变更控制的车用和其他应用。
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结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
onsemi MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm 6,209库存量
剪切带
¥12.4865
¥7.2659
¥5.65
¥4.7121
卷轴
¥4.1697
最低: 1
倍数: 1
最大: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 52 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH 8,603库存量
剪切带
¥18.6902
¥9.0965
¥8.1134
¥6.4636
卷轴
¥5.3562
最低: 1
倍数: 1
最大: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 52 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFS002P03P8ZT1G
onsemi MOSFET PFET SO8FL -30V 2MO 13,583库存量
剪切带
¥30.1936
¥15.2211
¥13.7295
¥11.1644
¥10.4186
卷轴
¥10.4186
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL P-Channel 1 Channel 30 V 263 A 1.4 mOhms 25 V 3 V 217 nC - 55 C + 150 C 138.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm 19,012库存量
12,000预期 2027/1/5
剪切带
¥12.8255
¥6.0342
¥5.3788
¥4.2149
¥3.6499
卷轴
¥3.3448
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 52 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH 1,496库存量
剪切带
¥19.1874
¥10.17
¥8.1134
¥6.5879
¥5.7743
卷轴
¥5.7743
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 52 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET U8FL 60V 20A 25MOHM
5,000预期 2026/12/18
剪切带
¥14.4753
¥9.0965
¥6.0229
¥4.7573
卷轴
¥4.7573
最低: 1
倍数: 1
最大: 500
: 5,000
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 24 mOhms 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape