单N和P通道功率MOSFET

onsemi单N和P通道功率MOSFET的占用空间小，可用于紧凑型设计；RDS(on)低，将传导损耗降至最低；QG和电容低，将驱动器损耗降至最低。onsemi单N和P通道功率MOSFET不含铅，适合用于需符合AEC−Q101标准的场地、需变更控制的车用和其他应用。
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结果: 6
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
onsemi MOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
数据表
9,736库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
数据表
3,769库存量
16,500在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 970
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
数据表
6,187库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 290
: 5,000
Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
数据表
1,466库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 170
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFS002P03P8ZT1G
onsemi MOSFET PFET SO8FL -30V 2MO
数据表
3,400库存量
10,500在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 320
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL P-Channel 1 Channel 30 V 263 A 1.4 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 217 nC - 55 C + 150 C 138.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET U8FL 60V 20A 25MOHM
数据表
5,000预期 2026/11/27
最低： 1
倍数： 1
最大： 500
: 5,000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 24 mOhms 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape